EMG11T2R - Rohm Semiconductor - Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas EMG11T2R

EMG11T2R

Número de pieza:: EMG11T2R

Fabricante:: LAPIS Semiconductor

Descripción:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 15633 Pieces

Ficha de datos:: EMG11T2R.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:	EMT5
Serie:	-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):	47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):	2.2k
Potencia - Max:	150mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Otros nombres:	EMG11T2RTR
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:	10 Weeks
Número de pieza del fabricante:	EMG11T2R
Frecuencia - Transición:	250MHz
Descripción ampliada:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Descripción:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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