EMD9T2R - Rohm Semiconductor - Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas EMD9T2R

EMD9T2R

Número de pieza:: EMD9T2R

Fabricante:: LAPIS Semiconductor

Descripción:: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 18425 Pieces

Ficha de datos:: EMD9T2R.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:	EMT6
Serie:	-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):	47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):	10k
Potencia - Max:	150mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	SOT-563, SOT-666
Otros nombres:	EMD9T2R-ND EMD9T2RTR
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:	10 Weeks
Número de pieza del fabricante:	EMD9T2R
Frecuencia - Transición:	250MHz
Descripción ampliada:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Descripción:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

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