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EMD29T2R
- Número de pieza:
- EMD29T2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12030 Pieces
- Ficha de datos:
- EMD29T2R.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para EMD29T2R, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para EMD29T2R por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V, 12V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| Tipo de transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 10k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | 1k, 10k |
| Potencia - Max: | 120mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | EMD29T2R-ND EMD29T2RTR Q3614586 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | EMD29T2R |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz, 260MHz |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 120mW Surface Mount EMT6 |
| Descripción: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
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