EMB6T2R - Rohm Semiconductor - Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas EMB6T2R

EMB6T2R

Número de pieza:: EMB6T2R

Fabricante:: LAPIS Semiconductor

Descripción:: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 17224 Pieces

Ficha de datos:: EMB6T2R.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:	EMT6
Serie:	-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):	47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):	47k
Potencia - Max:	150mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	EMB6T2R
Frecuencia - Transición:	250MHz
Descripción ampliada:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Descripción:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):	500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):	30mA
Email:	[email protected]

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Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
PBLS4004V,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666	Investigación
IMH9AT110	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6	Investigación
PEMH13,315	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666	Investigación
DCX142JU-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	Investigación

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