EGP10B
EGP10B
Número de pieza:
EGP10B
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16202 Pieces
Ficha de datos:
EGP10B.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:950mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):100V
Paquete del dispositivo:DO-41
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):50ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-204AL, DO-41, Axial
Otros nombres:EGP10B-ND
EGP10BTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:EGP10B
Descripción ampliada:Diode Standard 100V 1A Through Hole DO-41
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 100V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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