EC3H02BA-TL-H - ON Semiconductor - Transistores-bipolar (BJT)-RF EC3H02BA-TL-H

EC3H02BA-TL-H

Número de pieza:: EC3H02BA-TL-H

Fabricante:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Descripción:: TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 19196 Pieces

Ficha de datos:: EC3H02BA-TL-H.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):	10V
Tipo de transistor:	NPN
Paquete del dispositivo:	3-ECSP1006
Serie:	-
Potencia - Max:	100mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	3-XFDFN
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f):	1dB @ 1GHz
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	EC3H02BA-TL-H
Ganancia:	8.5dB
Frecuencia - Transición:	7GHz
Descripción ampliada:	RF Transistor NPN 10V 70mA 7GHz 100mW Surface Mount 3-ECSP1006
Descripción:	TRANS NPN 10V 70A ECSP1006-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	120 @ 20mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max):	70mA
Email:	[email protected]

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Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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