EC3A04B-3-TL-H - ON Semiconductor - Transistores-JFETs EC3A04B-3-TL-H

EC3A04B-3-TL-H

Número de pieza:: EC3A04B-3-TL-H

Fabricante:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Descripción:: JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3

Estado Libre de plomo / Estado RoHS:: Sin plomo / Cumple con RoHS

Cantidad disponible:: 19591 Pieces

Ficha de datos:: EC3A04B-3-TL-H.pdf

Investigación

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Especificaciones

Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id:	180mV @ 1µA
Paquete del dispositivo:	3-ECSP1006
Serie:	-
Resistencia - RDS (on):	200 Ohm
Potencia - Max:	100mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	3-XFDFN
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):	1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:	EC3A04B-3-TL-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	4pF @ 10V
Tipo FET:	N-Channel
Descripción ampliada:	JFET N-Channel 1.2mA @ 10V 100mW Surface Mount 3-ECSP1006
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:	30V
Descripción:	JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3
Consumo de corriente (Id) - Max:	10mA
Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0):	1.2mA @ 10V
Email:	[email protected]

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