DTD713ZMT2L
DTD713ZMT2L
Número de pieza:
DTD713ZMT2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17625 Pieces
Ficha de datos:
DTD713ZMT2L.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):30V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:VMT3
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):1k
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-723
Otros nombres:DTD713ZMT2L-ND
DTD713ZMT2LTR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:DTD713ZMT2L
Frecuencia - Transición:260MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:140 @ 100mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):200mA
Email:[email protected]

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