DTD113EKT146
DTD113EKT146
Número de pieza:
DTD113EKT146
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12801 Pieces
Ficha de datos:
DTD113EKT146.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SMT3
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):1k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):1k
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:DTD113EKT146-ND
DTD113EKT146TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:DTD113EKT146
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:33 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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