DTC643TUT106
DTC643TUT106
Número de pieza:
DTC643TUT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16404 Pieces
Ficha de datos:
DTC643TUT106.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DTC643TUT106, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DTC643TUT106 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar DTC643TUT106 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):20V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:150mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:UMT3
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):4.7k
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-70, SOT-323
Otros nombres:DTC643TUT106-ND
DTC643TUT106TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:DTC643TUT106
Frecuencia - Transición:150MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount UMT3
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:820 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios