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DTC363EUT106
- Número de pieza:
- DTC363EUT106
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13320 Pieces
- Ficha de datos:
- DTC363EUT106.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DTC363EUT106, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DTC363EUT106 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 20V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased |
| Paquete del dispositivo: | UMT3 |
| Serie: | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 6.8k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | 6.8k |
| Potencia - Max: | 200mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-70, SOT-323 |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DTC363EUT106 |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 200MHz 200mW Surface Mount UMT3 |
| Descripción: | TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
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