DTB123ECT116
DTB123ECT116
Número de pieza:
DTB123ECT116
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13029 Pieces
Ficha de datos:
DTB123ECT116.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SST3
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):2.2k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):2.2k
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:DTB123ECT116TR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:DTB123ECT116
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
Descripción:PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:39 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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