DTB113ZSTP
DTB113ZSTP
Número de pieza:
DTB113ZSTP
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15306 Pieces
Ficha de datos:
DTB113ZSTP.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SPT
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):1k
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:SC-72 Formed Leads
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:DTB113ZSTP
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 300mW Through Hole SPT
Descripción:TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:56 @ 50mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):500mA
Email:[email protected]

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