DSK10C-ET1
DSK10C-ET1
Número de pieza:
DSK10C-ET1
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12213 Pieces
Ficha de datos:
DSK10C-ET1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):200V
Paquete del dispositivo:-
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:R-1 (Axial)
Temperatura de funcionamiento - Junction:150°C (Max)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:DSK10C-ET1
Descripción ampliada:Diode Standard 200V 1A Through Hole
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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