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DSE010-TR-E
- Número de pieza:
- DSE010-TR-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16351 Pieces
- Ficha de datos:
- DSE010-TR-E.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DSE010-TR-E, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DSE010-TR-E por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.2V @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 80V |
| Velocidad: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 4ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | - |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 125°C |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DSE010-TR-E |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 80V 100mA |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 80V 100MA |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 500nA @ 80V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 100mA |
| Capacitancia Vr, F: | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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