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DNA30E2200FE
- Número de pieza:
- DNA30E2200FE
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13697 Pieces
- Ficha de datos:
- DNA30E2200FE.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DNA30E2200FE, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DNA30E2200FE por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.25V @ 30A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 2200V (2.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | i4-PAC |
| Velocidad: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-2, IPak |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | DNA30E2200FE |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 2200V (2.2kV) 30A Through Hole i4-PAC |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 40µA @ 2200V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 30A |
| Capacitancia Vr, F: | 7pF @ 700V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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