DN2530N3-G
Número de pieza:
DN2530N3-G
Fabricante:
Micrel / Microchip Technology
Descripción:
MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19500 Pieces
Ficha de datos:
DN2530N3-G.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DN2530N3-G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DN2530N3-G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar DN2530N3-G con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92 (TO-226)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:12 Ohm @ 150mA, 0V
La disipación de energía (máximo):740mW (Ta)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:5 Weeks
Número de pieza del fabricante:DN2530N3-G
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Depletion Mode
Descripción ampliada:N-Channel 300V 175mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:300V
Descripción:MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:175mA (Tj)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios