DMT5015LFDF-13
DMT5015LFDF-13
Número de pieza:
DMT5015LFDF-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19929 Pieces
Ficha de datos:
DMT5015LFDF-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:6-UDFN2020 (2x2)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:15 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo):820mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:6-UDFN Exposed Pad
Otros nombres:DMT5015LFDF-13DI
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMT5015LFDF-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:902.7pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 50V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:50V
Descripción:MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.1A (Ta)
Email:[email protected]

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