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DMT3009LDT-7
- Número de pieza:
- DMT3009LDT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19658 Pieces
- Ficha de datos:
- DMT3009LDT-7.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMT3009LDT-7, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMT3009LDT-7 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | V-DFN3030-8 (Type K) |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 11.1 mOhm @ 14.4A, 10V |
| Potencia - Max: | 1.2W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-VDFN Exposed Pad |
| Otros nombres: | DMT3009LDT-7-ND DMT3009LDT-7DITR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMT3009LDT-7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 20nC @ 15V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 30A 1.2W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A |
| Email: | [email protected] |
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