DMNH10H028SPS-13
DMNH10H028SPS-13
Número de pieza:
DMNH10H028SPS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18228 Pieces
Ficha de datos:
DMNH10H028SPS-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerDI5060-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:28 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.6W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:DMNH10H028SPS-13DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMNH10H028SPS-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2245pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

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