Comprar DMNH10H028SPS-13 con BYCHPS
Compre con garantía
DMNH10H028SPS-13
- Número de pieza:
- DMNH10H028SPS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18228 Pieces
- Ficha de datos:
- DMNH10H028SPS-13.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMNH10H028SPS-13, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMNH10H028SPS-13 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PowerDI5060-8 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.6W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
| Otros nombres: | DMNH10H028SPS-13DITR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMNH10H028SPS-13 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2245pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DMNH10H028SPS-13
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMNH10H028SPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506 | Investigación |
 |
DMNH10H028SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | Investigación |
 |
DMNH10H028SCT | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T | Investigación |
|
DMNH10H028SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 55A TO252 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog