DMN65D8LFB-7B
DMN65D8LFB-7B
Número de pieza:
DMN65D8LFB-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12622 Pieces
Ficha de datos:
DMN65D8LFB-7B.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:X1-DFN1006-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 115mA, 10V
La disipación de energía (máximo):430mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-UFDFN
Otros nombres:DMN65D8LFB-7BDITR
DMN65D8LFB7B
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN65D8LFB-7B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:25pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:260mA (Ta)
Email:[email protected]

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