Comprar DMN62D0UDW-7 con BYCHPS
Compre con garantía
DMN62D0UDW-7
- Número de pieza:
- DMN62D0UDW-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17842 Pieces
- Ficha de datos:
- DMN62D0UDW-7.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMN62D0UDW-7, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMN62D0UDW-7 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SOT-363 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Potencia - Max: | 320mW |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Otros nombres: | DMN62D0UDW-7DIDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMN62D0UDW-7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 32pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Standard |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 350mA 320mW Surface Mount SOT-363 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 350mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DMN62D0UDW-7
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D0UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | Investigación |
 |
DMN62D1SFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN | Investigación |
 |
DMN62D0UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 | Investigación |
|
DMN62D0LFB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3 | Investigación |
 |
DMN62D0LFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN | Investigación |
 |
DMN62D0U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | Investigación |
|
DMN62D0U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.38A | Investigación |
 |
DMN62D0UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A | Investigación |
|
DMN62D0LFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFN | Investigación |
|
DMN62D0UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | Investigación |
|
DMN62D0SFD-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 540MA 3-DFN | Investigación |
|
DMN62D0UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog