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DMN55D0UTQ-7
- Número de pieza:
- DMN55D0UTQ-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 20256 Pieces
- Ficha de datos:
- DMN55D0UTQ-7.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMN55D0UTQ-7, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMN55D0UTQ-7 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-523 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4 Ohm @ 100mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 200mW (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | SOT-523 |
| Otros nombres: | DMN55D0UTQ-7DIDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMN55D0UTQ-7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 25pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 50V 160mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-523 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 50V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 160mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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