DMN31D5UFZ-7B
DMN31D5UFZ-7B
Número de pieza:
DMN31D5UFZ-7B
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15883 Pieces
Ficha de datos:
DMN31D5UFZ-7B.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:X2-DFN0606-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):393mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-XFDFN
Otros nombres:DMN31D5UFZ-7BDITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN31D5UFZ-7B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:22.2pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:0.35nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 220mA (Ta) 393mW (Ta) Surface Mount X2-DFN0606-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:220mA (Ta)
Email:[email protected]

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