DMN2501UFB4-7
DMN2501UFB4-7
Número de pieza:
DMN2501UFB4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17064 Pieces
Ficha de datos:
DMN2501UFB4-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:X2-DFN1006-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:400 mOhm @ 600mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-XFDFN
Otros nombres:DMN2501UFB4-7DI
DMN2501UFB4-7DI-ND
DMN2501UFB4-7DITR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMN2501UFB4-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:82pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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