Comprar DMN2300UFD-7 con BYCHPS
Compre con garantía
DMN2300UFD-7
- Número de pieza:
- DMN2300UFD-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15487 Pieces
- Ficha de datos:
- DMN2300UFD-7.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMN2300UFD-7, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMN2300UFD-7 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 950mV @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | X1-DFN1212-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 200 mOhm @ 900mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 470mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 3-UDFN |
| Otros nombres: | DMN2300UFD-7DITR DMN2300UFD7 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMN2300UFD-7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 67.62pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 20V 1.21A (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1212-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.21A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DMN2300UFD-7
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN2300UFL4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN | Investigación |
 |
FDD6N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK | Investigación |
 |
IPB80N06S4L05ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | Investigación |
 |
DMN2300UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN | Investigación |
 |
DMN2300UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN | Investigación |
 |
IRF7811A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC | Investigación |
 |
DMN2300U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1.24A SOT23 | Investigación |
 |
FCH47N60_F133 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 | Investigación |
 |
SQ3427AEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 6TSOP | Investigación |
|
DMN2320UFB4-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3 | Investigación |
 |
DMP4025LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 6A 8-SO | Investigación |
 |
STL8N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog