Comprar DMN10H170SVT-7 con BYCHPS
Compre con garantía
DMN10H170SVT-7
- Número de pieza:
- DMN10H170SVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16830 Pieces
- Ficha de datos:
- DMN10H170SVT-7.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMN10H170SVT-7, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMN10H170SVT-7 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TSOT-26 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.2W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Otros nombres: | DMN10H170SVT-7DITR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMN10H170SVT-7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1167pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 9.7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DMN10H170SVT-7
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Investigación |
 |
DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Investigación |
|
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI | Investigación |
|
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI | Investigación |
|
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Investigación |
 |
DMN10H170SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Investigación |
|
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Investigación |
 |
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 12A TO252 | Investigación |
|
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V TSOT26 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog