Comprar DMN1019UFDE-7 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 800mV @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±8V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | U-DFN2020-6 (Type E) |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
La disipación de energía (máximo): | 690mW (Ta) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 6-UDFN Exposed Pad |
Otros nombres: | DMN1019UFDE-7DITR DMN1019UFDE7 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | DMN1019UFDE-7 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2425pF @ 10V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 50.6nC @ 8V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 12V 11A (Ta) 690mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
Descripción: | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
Email: | [email protected] |