DMJ7N70SK3-13
DMJ7N70SK3-13
Número de pieza:
DMJ7N70SK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 700V 3.9A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13477 Pieces
Ficha de datos:
DMJ7N70SK3-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.25 Ohm @ 2.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):28W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMJ7N70SK3-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:351pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:13.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 700V 3.9A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount TO-252
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:700V
Descripción:MOSFET N-CH 700V 3.9A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.9A (Tc)
Email:[email protected]

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