DMG8601UFG-7
DMG8601UFG-7
Número de pieza:
DMG8601UFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17870 Pieces
Ficha de datos:
DMG8601UFG-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.05V @ 250µA
Paquete del dispositivo:U-DFN3030-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Potencia - Max:920mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerUDFN
Otros nombres:DMG8601UFG-7DITR
DMG8601UFG7
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMG8601UFG-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:143pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.8nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.1A
Email:[email protected]

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