Comprar DMG7401SFGQ-7 con BYCHPS
Compre con garantía
DMG7401SFGQ-7
- Número de pieza:
- DMG7401SFGQ-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15027 Pieces
- Ficha de datos:
- DMG7401SFGQ-7.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMG7401SFGQ-7, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMG7401SFGQ-7 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PowerDI3333-8 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 11 mOhm @ 12A, 20V |
| La disipación de energía (máximo): | 940mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerWDFN |
| Otros nombres: | DMG7401SFGQ-7DI |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMG7401SFGQ-7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2987pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 9.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DMG7401SFGQ-7
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG7401SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | Investigación |
|
DMG7401SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 | Investigación |
|
DMG7401SFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 | Investigación |
|
DMG7408SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI | Investigación |
 |
STL24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT | Investigación |
 |
IRFP450APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC | Investigación |
 |
STD50NH02LT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 24V 50A DPAK | Investigación |
 |
IPW65R099C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO-247 | Investigación |
 |
STP5NK52ZD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220 | Investigación |
 |
SIHA22N60AE-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A TO220 | Investigación |
 |
IPI80N06S208AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | Investigación |
|
DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers