DMG4710SSS-13
DMG4710SSS-13
Número de pieza:
DMG4710SSS-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16626 Pieces
Ficha de datos:
DMG4710SSS-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOP
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:12.5 mOhm @ 11.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.54W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:DMG4710SSS-13DITR
DMG4710SSS13
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMG4710SSS-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1849pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Schottky Diode (Body)
Descripción ampliada:N-Channel 30V 8.8A (Ta) 1.54W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.8A (Ta)
Email:[email protected]

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