DMG4468LK3-13
DMG4468LK3-13
Número de pieza:
DMG4468LK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12897 Pieces
Ficha de datos:
DMG4468LK3-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.95V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 11.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.68W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:DMG4468LK3-13DITR
DMG4468LK313
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMG4468LK3-13
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:867pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18.85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 9.7A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.7A (Ta)
Email:[email protected]

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