DMG3415UFY4-7
DMG3415UFY4-7
Número de pieza:
DMG3415UFY4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17143 Pieces
Ficha de datos:
DMG3415UFY4-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:DFN2015H4-3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:39 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):400mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:3-XFDFN
Otros nombres:DMG3415UFY4-7DITR
DMG3415UFY47
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:DMG3415UFY4-7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:281.9pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 16V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN2015H4-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:16V
Descripción:MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

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