Comprar DMG1016V-7 con BYCHPS
Compre con garantía
DMG1016V-7
- Número de pieza:
- DMG1016V-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT563
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15497 Pieces
- Ficha de datos:
- DMG1016V-7.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DMG1016V-7, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DMG1016V-7 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Potencia - Max: | 530mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | DMG1016V-7DITR DMG1016V7 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DMG1016V-7 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 60.67pF @ 16V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.74nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Descripción ampliada: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 870mA, 640mA |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de DMG1016V-7
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
DMG1013UWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 20V 820MA SOT323 | Investigación |
 |
DMG1016VQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | Investigación |
 |
DMG1016UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | Investigación |
 |
DMG1012UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 | Investigación |
|
DMG1016VQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | Investigación |
|
DMG1012TQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 20V 630MA SOT523 | Investigación |
|
DMG1026UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R | Investigación |
 |
DMG1013T-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523 | Investigación |
|
DMG1013UWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 0.82A SOT323 | Investigación |
|
DMG1013UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 | Investigación |
|
DMG1012T-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog