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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices > DME50B010R
DME50B010R
DME50B010R
Número de pieza:
DME50B010R
Fabricante:
Panasonic
Descripción:
TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16113 Pieces
Ficha de datos:
DME50B010R.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
Tipo de transistor:NPN, PNP Complementary Darlington
Paquete del dispositivo:SMini5-F3-B
Serie:-
Potencia - Max:150mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:5-SMD, Flat Leads
Otros nombres:DME50B010RDKR
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:DME50B010R
Frecuencia - Transición:150MHz
Descripción ampliada:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP Complementary Darlington 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
Descripción:TRANS NPN/PNP DARL 50V SMINI5
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:210 @ 2mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max):100µA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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