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DF2S30CT,L3F
- Número de pieza:
- DF2S30CT,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TVS DIODE 23VWM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19182 Pieces
- Ficha de datos:
- DF2S30CT,L3F.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DF2S30CT,L3F, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DF2S30CT,L3F por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 23V |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | - |
| Voltaje - Desglose (Min): | 28V |
| Canales unidireccionales: | 1 |
| Tipo: | Zener |
| Paquete del dispositivo: | CST2 |
| Serie: | - |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOD-882 |
| Otros nombres: | DF2S30CT,L3F(B DF2S30CT,L3F(T DF2S30CTL3FTR |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DF2S30CT,L3F |
| Descripción: | TVS DIODE 23VWM |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | - |
| Capacitancia Frecuencia: | 7.2pF @ 1MHz |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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