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DF2S10FS,L3M
- Número de pieza:
- DF2S10FS,L3M
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TVS DIODE 8VWM
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13524 Pieces
- Ficha de datos:
- DF2S10FS,L3M.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DF2S10FS,L3M, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DF2S10FS,L3M por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 8V (Max) |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | - |
| Voltaje - Desglose (Min): | 9.4V |
| Canales unidireccionales: | 1 |
| Tipo: | Zener |
| Paquete del dispositivo: | fSC (SOD-923) |
| Serie: | - |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOD-923 |
| Otros nombres: | DF2S10FS,L3M(B DF2S10FS,L3M(T DF2S10FSL3MTR |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DF2S10FS,L3M |
| Descripción: | TVS DIODE 8VWM |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | - |
| Capacitancia Frecuencia: | 16pF @ 1MHz |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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