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DF2B6.8M1ACT,L3F
- Número de pieza:
- DF2B6.8M1ACT,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- TVS DIODE 5VWM 20VC CST2
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14357 Pieces
- Ficha de datos:
- DF2B6.8M1ACT,L3F.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para DF2B6.8M1ACT,L3F, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para DF2B6.8M1ACT,L3F por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - separación inverso (típico): | 5V (Max) |
|---|---|
| Tensión - Apriete (Máx.) @ Ipp: | 20V |
| Voltaje - Desglose (Min): | 6V |
| Canales unidireccionales: | 1 |
| Tipo: | Steering (Rail to Rail) |
| Paquete del dispositivo: | CST2 |
| Serie: | - |
| Protección de la línea eléctrica: | No |
| Potencia - Pico de pulso: | 50W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOD-882 |
| Otros nombres: | DF2B6.8M1ACT (TPL3) DF2B6.8M1ACT(TPL3) DF2B6.8M1ACT(TPL3)TR DF2B6.8M1ACT(TPL3)TR-ND DF2B6.8M1ACT,L3F(B DF2B6.8M1ACT,L3F(T DF2B68M1ACTTPL3 |
| Temperatura de funcionamiento: | - |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | DF2B6.8M1ACT,L3F |
| Descripción: | TVS DIODE 5VWM 20VC CST2 |
| Corriente - Pico de pulso (10 / 1000μs): | 2.5A (8/20µs) |
| Capacitancia Frecuencia: | 0.3pF @ 1MHz |
| aplicaciones: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
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