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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-bipolar (BJT)-matrices presesgadas > DDA114EH-7
DDA114EH-7
DDA114EH-7
Número de pieza:
DDA114EH-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16091 Pieces
Ficha de datos:
DDA114EH-7.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SOT-563
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):10k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):10k
Potencia - Max:150mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:DDA114EH-7-ND
DDA114EH-7DITR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:DDA114EH-7
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563
Descripción:TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):-
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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