DB107G
Número de pieza:
DB107G
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE BRIDGE 1000V 1A DB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12661 Pieces
Ficha de datos:
1.DB107G.pdf2.DB107G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - inversa de pico (máxima):1000V
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.1V @ 1A
Tecnología:Standard
Paquete del dispositivo:DB
Serie:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Otros nombres:DB107GGN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:4 Weeks
Número de pieza del fabricante:DB107G
Descripción ampliada:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DB
Tipo de diodo:Single Phase
Descripción:DIODE BRIDGE 1000V 1A DB
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):1A
Email:[email protected]

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