CYD18S18V18-200BBAXI
CYD18S18V18-200BBAXI
Número de pieza:
CYD18S18V18-200BBAXI
Fabricante:
Cypress Semiconductor
Descripción:
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18342 Pieces
Ficha de datos:
CYD18S18V18-200BBAXI.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Paquete del dispositivo:256-FBGA (17x17)
Velocidad:200MHz
Serie:-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:256-LBGA
Otros nombres:428-3290
CYD18S18V18-200BBAXI-ND
CYD18S18V18200BBAXI
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:18Mb (1M x 18)
Formato de memoria:SRAM
Número de pieza del fabricante:CYD18S18V18-200BBAXI
Interfaz:Parallel
Descripción:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
Email:[email protected]

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