CYD09S36V18-200BBXC
CYD09S36V18-200BBXC
Número de pieza:
CYD09S36V18-200BBXC
Fabricante:
Cypress Semiconductor
Descripción:
IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16903 Pieces
Ficha de datos:
CYD09S36V18-200BBXC.pdf

Introducción

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Especificaciones

Suministro de voltaje:1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
Paquete del dispositivo:256-FBGA (17x17)
Velocidad:200MHz
Serie:-
embalaje:Tray
Paquete / Cubierta:256-LBGA
Otros nombres:428-2035
CYD09S36V18-200BBXC-ND
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 70°C (TA)
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):4 (72 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:9Mb (256K x 36)
Formato de memoria:SRAM
Número de pieza del fabricante:CYD09S36V18-200BBXC
Interfaz:Parallel
Descripción:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256FBGA
Email:[email protected]

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