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CXDM6053N TR
- Número de pieza:
- CXDM6053N TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13117 Pieces
- Ficha de datos:
- CXDM6053N TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CXDM6053N TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CXDM6053N TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-89 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 41 mOhm @ 5.3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.2W (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-243AA |
| Otros nombres: | CXDM6053N DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CXDM6053N TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 920pF @ 30V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 8.8nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 5.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 5.3A SOT-89 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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