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CXDM3069N TR
- Número de pieza:
- CXDM3069N TR
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15112 Pieces
- Ficha de datos:
- CXDM3069N TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CXDM3069N TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CXDM3069N TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 12V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-89 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1.2W (Ta) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | TO-243AA |
| Otros nombres: | CXDM3069N DKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 6 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CXDM3069N TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 580pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 6.9A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount SOT-89 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.9A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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