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CWDM3011N TR13
- Número de pieza:
- CWDM3011N TR13
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12606 Pieces
- Ficha de datos:
- CWDM3011N TR13.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CWDM3011N TR13, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CWDM3011N TR13 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | 20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 20 mOhm @ 11A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | CWDM3011N TR13 LEAD FREE |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CWDM3011N TR13 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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