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CUS10S30,H3F
- Número de pieza:
- CUS10S30,H3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16882 Pieces
- Ficha de datos:
- CUS10S30,H3F.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CUS10S30,H3F, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CUS10S30,H3F por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 230mV @ 100mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | USC |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SC-76, SOD-323 |
| Otros nombres: | CUS10S30,H3F(B CUS10S30,H3F(T CUS10S30H3FTR |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | 125°C (Max) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | CUS10S30,H3F |
| Descripción ampliada: | Diode Schottky 30V 1A Surface Mount USC |
| Tipo de diodo: | Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 500µA @ 30V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 135pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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