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CSICD10-650 BK
- Número de pieza:
- CSICD10-650 BK
- Fabricante:
- Central Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12997 Pieces
- Ficha de datos:
- CSICD10-650 BK.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para CSICD10-650 BK, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para CSICD10-650 BK por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 10A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | DPAK |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | CSICD10-650 BK |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Surface Mount DPAK |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 125µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 10A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 325pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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