CSICD10-650 BK
CSICD10-650 BK
Número de pieza:
CSICD10-650 BK
Fabricante:
Central Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12997 Pieces
Ficha de datos:
CSICD10-650 BK.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.7V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):650V
Paquete del dispositivo:DPAK
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:CSICD10-650 BK
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Surface Mount DPAK
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK
Corriente - Fuga inversa a Vr:125µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io):10A (DC)
Capacitancia Vr, F:325pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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