Comprar CSICD10-650 BK con BYCHPS
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Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 10A |
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Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
Paquete del dispositivo: | DPAK |
Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie: | - |
Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | CSICD10-650 BK |
Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Surface Mount DPAK |
Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
Descripción: | DIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK |
Corriente - Fuga inversa a Vr: | 125µA @ 650V |
Corriente - rectificada media (Io): | 10A (DC) |
Capacitancia Vr, F: | 325pF @ 1V, 1MHz |
Email: | [email protected] |