CSD86311W1723
Número de pieza:
CSD86311W1723
Fabricante:
Descripción:
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14253 Pieces
Ficha de datos:
CSD86311W1723.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo:12-DSBGA (1.53x1.98)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:39 mOhm @ 2A, 8V
Potencia - Max:1.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:12-UFBGA, DSBGA
Otros nombres:296-27599-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:CSD86311W1723
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:585pF @ 12.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 4.5A 1.5W Surface Mount 12-DSBGA (1.53x1.98)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.5A
Email:[email protected]

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