CSD25401Q3
Número de pieza:
CSD25401Q3
Fabricante:
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17457 Pieces
Ficha de datos:
CSD25401Q3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-VSON (3.3x3.3)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:11.7 mOhm @ 10A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:296-24260-2
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:CSD25401Q3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12.3nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 20V 14A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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